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今天是:2025年01月04日(星期六)

2018年01月04日 | 三星拚半導(dǎo)體戰(zhàn)力升級(jí),四年擬砸逾二十兆韓圜

發(fā)布者:溫暖微風(fēng) 來(lái)源: MoneyDJ 關(guān)鍵字:三星  半導(dǎo)體 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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三星看好半導(dǎo)體景氣持續(xù)往上走,周二宣布未來(lái)四年將砸下逾20兆韓圜,或相當(dāng)于190億美元投資旗下半導(dǎo)體事業(yè)。


三星兩年前耗資15.6兆韓圜在南韓平澤市打造新存儲(chǔ)廠,新廠當(dāng)日才剛正式投產(chǎn),三星已計(jì)劃2021年內(nèi)再額外投入14.4兆韓圜(125億美元)擴(kuò)廠(美聯(lián)社)。


三星還計(jì)劃投資位于華城的存儲(chǔ)園區(qū)6兆韓圜。與此同時(shí),三星也考慮增加中國(guó)西安半導(dǎo)體廠的產(chǎn)能。


IHS Markit數(shù)據(jù)顯示,2017年全球DRAM產(chǎn)值跳增72%、來(lái)到722億美元,2018年預(yù)估將進(jìn)一步擴(kuò)增至844億美元,年增率達(dá)16.9%。


NAND閃存去年成長(zhǎng)46.2%、成為538億美元,今年預(yù)估擴(kuò)增至592億美元。產(chǎn)業(yè)資訊顯示,3D NAND閃存占三星閃存出貨比重,去年第四季已超過八成,今年底預(yù)估將超越九成。

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