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ASML研發(fā)新一代Hyper NA EUV光刻機(jī):5nm單次曝光

發(fā)布者:Asawen最新更新時(shí)間:2025-06-30 來源: 快科技關(guān)鍵字:ASML  EUV光刻機(jī) 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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全球最大半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML已著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV先進(jìn)光刻機(jī),為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準(zhǔn)備。

Jos Benschop表示,ASML及獨(dú)家光學(xué)合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在單次曝光中印刷出分辨率精細(xì)到5nm的EUV光刻機(jī),可滿足2035年之后的制程需求。

據(jù)悉,ASML目前出貨的最先進(jìn)光刻機(jī),可達(dá)到單次曝光8nm分辨率。 而之前老舊光刻機(jī)必須多次曝光才能達(dá)到類似分辨率,不僅效率較低,而且良率也有限。

Benschop指出,ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計(jì)研究,目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)數(shù)值孔徑(NA)0.7 或以上,目前尚未設(shè)定具體上市時(shí)間表。

數(shù)值孔徑(NA)是衡量光學(xué)系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標(biāo),也是決定電路圖樣能否精細(xì)投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當(dāng)NA越大、光波長(zhǎng)越短,印刷分辨率就越高。

目前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的NA為0.33,最新一代High NA EUV則提升至0.55。 當(dāng)下,ASML正朝向NA 0.7或超高NA(Hyper NA)邁進(jìn)。


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