1、2440地址空間

先去找PCB原理圖，看CPU引出的內(nèi)存地址線和數(shù)據(jù)線的寬度。

說(shuō)明內(nèi)存的其實(shí)地址是0x30000000為起始地址。

初始化內(nèi)存其實(shí)是去初始化存儲(chǔ)器控制器，只有初始化好這個(gè)存儲(chǔ)器控制器之后才能訪問(wèn)相應(yīng)的芯片。

2、內(nèi)存芯片的硬件連接

3、存儲(chǔ)控制器

打開芯片手冊(cè)，找到存儲(chǔ)器控制器章節(jié)，

該寄存器分成了8個(gè)組，用于設(shè)置總線寬度和等待狀態(tài)的寄存器，有8個(gè)組可控制8個(gè)BANK。

因?yàn)锽ANK7和BANK6用于接SDRAM的，因?yàn)樵韴D沒(méi)有使用UB/LB，所以ST7位選擇為0，WS7等待狀態(tài)設(shè)置為0，DW7用于設(shè)置總線寬度，選擇10為32位。BANK6的值與BANK的設(shè)置一樣。

其他BANK不用保持默認(rèn)值即可。

用于控制內(nèi)存的寄存器，MT位用于控制內(nèi)存使用的什么類型，我們用的SDRAM，值位11，

Trcd表示行列型號(hào)之間轉(zhuǎn)換的延時(shí)，到底延時(shí)是多少，可以看上面的時(shí)序圖

到具體使用的SDRAM里面去查看列地址數(shù)量，打開該芯片手冊(cè)搜索column

為9位所以SCAN應(yīng)該為01，

刷新寄存器

TREFMD刷新模式選擇：選擇自動(dòng)刷新所以取值0，

Trp：準(zhǔn)備充電的時(shí)間，從時(shí)序可以看出

2個(gè)時(shí)鐘選擇00；

Tsrc:行刷新時(shí)間，一般是7個(gè)時(shí)鐘，選擇11，

Refresh Counter：隔多長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行刷新一次，用這里來(lái)設(shè)置，

BURST_EN突發(fā)模式，使用起來(lái)，是指訪問(wèn)內(nèi)存時(shí)一次性可以使用批量的數(shù)據(jù)；

SCKE_EN是否使能節(jié)點(diǎn)模式，使能起來(lái)

SCLK_EN選擇推薦模式選擇1；

BK76MAP：用于控制設(shè)置BANK6和7的大小的。應(yīng)該選擇001為64M

他們的取值是一樣的。

CAL域：

選擇011，

到這里內(nèi)存控制器里面所有值已經(jīng)列出來(lái)了。

手把手寫代碼：

對(duì)存儲(chǔ)器控制器初始化之后，便可以使用我們的內(nèi)存了。