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Diodes 公司的碳化硅肖特基二極管提供領(lǐng)先業(yè)界的 FoM 及系統(tǒng)效率

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【2025 年 4 月 29 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes)宣布擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A,采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝,專為高效率電源開關(guān)產(chǎn)品應用而設計,例如直流對直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運算的數(shù)據(jù)中心) ,以及工業(yè)電機驅(qū)動等。

 image.png

DSCxxA065LP 系列的品質(zhì)因數(shù) (FoM = QC × VF) 為業(yè)界極佳,歸功于以下兩大特點:


  • 無反向恢復電流和低電容電荷 (QC),因此開關(guān)損耗可忽略不計;

  • 正向電壓 (VF) 可大幅降低傳導損耗,提升整體功率效率。


以上兩個特性使得該系列產(chǎn)品非常適合用于高速開關(guān)電路。

 

DSCxxA065LP 系列的反向漏電流 (IR) 也低于業(yè)界其他產(chǎn)品,最大僅為 20μA。這能大幅降低熱耗散和傳導損耗,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性以及可靠度,相較于硅基肖特基器件,這些優(yōu)勢更加明顯。降低熱耗散也能減少冷卻成本和運營支出。

 

小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸:8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝底部有大面積散熱片,可降低熱阻。T?DFN8080-4 占用更少的電路板面積,但具有更大的散熱片,可完美替代 TO252 (DPAK)。這兩個特點有助于提高電路設計的功率密度,縮小整體尺寸,降低冷卻預算。

 

DSC04A065LP (4A)、DSC06A065LP (6A)、DSC08A065LP (8A)、DSC10A065LP (10A)及 DSC12A065LP (12A)的訂購單位為 2,500 件。


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