stm32的FLASH分為主存儲(chǔ)塊、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存器等 3 部分組成。

主存儲(chǔ)塊用于保存具體的程序代碼和用戶數(shù)據(jù)。起始地址0x08000000，b0和b1接GND從這里開始執(zhí)行程序。

信息塊用于負(fù)責(zé)由stm32出廠時(shí)放置2KB的啟動(dòng)程序(BootLoader)和512B的用戶配置信息區(qū)。啟動(dòng)程序代碼，是用來存儲(chǔ)ST 自帶的啟動(dòng)程序，b0接3.3v，b1接GND運(yùn)行的就是這部分代碼 ，用作串口下載代碼。

閃存存儲(chǔ)器接口寄存器，該部分用于控制閃存讀寫等，是整個(gè)閃存模塊的控制機(jī)構(gòu) 。在執(zhí)行閃存寫操作時(shí)，任何對(duì)閃存的讀操作都會(huì)鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進(jìn)行；既在進(jìn)行寫或擦除操作時(shí)，不能進(jìn)行代碼或數(shù)據(jù)的讀取操作。對(duì)主存儲(chǔ)器和信息塊的寫入由內(nèi)嵌的閃存編程/擦除控制器(FPEC)管理 。 

主存儲(chǔ)器是以頁為單位劃分的。stm32根據(jù)FLASH主存儲(chǔ)塊容量、頁面的不同，系統(tǒng)存儲(chǔ)器的不同，分為小容量、中容量、大容量、互聯(lián)型，共四類產(chǎn)品。

小容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊1-32KB，     每頁1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB

中容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊64-128KB，   每頁1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB

大容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊256KB以上，  每頁2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB

互聯(lián)型產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊256KB以上，  每頁2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器18KB

對(duì)Flash的寫入操作要遵循“先擦除后寫入”的原則。Flash編程操作都是以頁為單位寫入，寫入的操作必須要以32位字或16位半字寬度數(shù)據(jù)為單位，允許跨頁寫。

FLASH 最快訪問速度≤24Mhz ，CPU使用 72Mhz的主頻操作FLASH需要加入等待時(shí)間。

閃存的編程和擦除

STM32 的閃存編程是由 FPEC（閃存編程和擦除控制器）模塊處理的，包含 7 個(gè)
32 位寄存器：
    FPEC 鍵寄存器(FLASH_KEYR)
    選擇字節(jié)鍵寄存器(FLASH_OPTKEYR)
    閃存控制寄存器(FLASH_CR)
    閃存狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)
    閃存地址寄存器(FLASH_AR)
    選擇字節(jié)寄存器(FLASH_OBR)
    寫保護(hù)寄存器(FLASH_WRPR)

FPEC 鍵寄存器(FLASH_KEYR)包含3個(gè)鍵值

RDPRT=0X000000A5
KEY1=0X45670123

KEY2=0XCDEF89AB

stm32復(fù)位以后， FPEC（閃存編程和擦除控制器）模塊被保護(hù)，無法操作閃存控制寄存器(FLASH_CR)；將特定序列寫入到FPEC 鍵寄存器(FLASH_KEYR)才可以操作 FPEC（閃存編程和擦除控制器）模塊，寫保護(hù)解除。

stm32閃存編程必須寫入半字（16bit），無法寫入其他類型數(shù)據(jù)。閃存控制寄存器(FLASH_CR)中PG=1，在一個(gè)閃存地址寫入一個(gè)半字將啟動(dòng)一次編程 。在編程過程中閃存狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中BSY =1 ，任何讀寫閃存的操作都會(huì)使 CPU暫停，直到此次閃存編程結(jié)束。 flash中被寫入的地址必須是擦除掉的（0xffff）。

FLASH編程操作

1.檢查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解鎖，如果沒有則先解鎖
2.檢查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的編程操作
3.設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位為’ 1’
4.在指定的地址寫入要編程的半字
5.等待 BSY 位變?yōu)椤?nbsp;0’
6.讀出寫入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù) 

FLASH分為頁擦除和整片擦除。

頁擦除

1. 檢查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解鎖，如果沒有則先解鎖
2. 檢查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的閃存操作
3. 設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位為’ 1’
4. 用 FLASH_AR 寄存器選擇要擦除的頁
5. 設(shè)置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位為’ 1’
6. 等待 BSY 位變?yōu)椤?nbsp;0’
7. 讀出被擦除的頁并做驗(yàn)證