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盤(pán)點(diǎn)摩爾定律的里程碑

最新更新時(shí)間:2015-05-08來(lái)源: EEWORLD編譯關(guān)鍵字:摩爾定律  半導(dǎo)體 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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    隨著賭注的不斷提高,半導(dǎo)體專(zhuān)家艱難地保持著摩爾定律的發(fā)展速度。
 
    摩爾定律已經(jīng)在工業(yè)史上保持了偉大的連勝記錄,在這里我們將回顧其發(fā)展過(guò)程中幾個(gè)重要的里程碑、突破點(diǎn)和保證長(zhǎng)達(dá)半個(gè)世紀(jì)高速前進(jìn)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
 
圖片來(lái)源:TI
 
1958年9月
 
    Jack St. Clair Kilby成功測(cè)試了世界上第一個(gè)集成電路板。德州儀器實(shí)驗(yàn)室首次把晶體管振蕩器安裝在一個(gè)鍺芯片上。
 
圖片來(lái)源:仙童半導(dǎo)體
 
1959年3月
 
    仙童半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)的Jean Hoerni展示了其平面工藝技術(shù),即生產(chǎn)適合芯片領(lǐng)域應(yīng)用的性能可靠的平面晶體管。
 
    摩爾受平面工藝的啟發(fā),在《Electronics 》雜志上曾經(jīng)寫(xiě)到“從1959年第一代平面晶體管問(wèn)世后,我開(kāi)始從現(xiàn)有數(shù)據(jù)中搜集資料。”
 
    以Hoerni的發(fā)明為基礎(chǔ),其在仙童公司的同事Robert Noyce設(shè)計(jì)并證明了基于Hoerni的平面工藝生產(chǎn)集成電路的可行性。
 
    在1959年8月,Noyce推薦Jay Last成為仙童公司平面集成電路團(tuán)隊(duì)的負(fù)責(zé)人。其團(tuán)隊(duì)在1960年5月成功開(kāi)發(fā)出第一代集成電路,但隨后,其專(zhuān)利在六七十年代陷入不斷糾紛和爭(zhēng)論當(dāng)中,技術(shù)委員會(huì)決定Kilby和Noyce分別成為集成電路的發(fā)明者。
 
圖片來(lái)源:Intel
 
1965年4月
 
    摩爾在《Electronics 》雜志上刊登了其著名的文章。他在文章中預(yù)言在低成本的集成電路中,其元件密度每年都會(huì)提高一倍。
 
    不久后摩爾明確了“元件”具體包含“晶體管、電阻、二極管或者電容”這個(gè)概念。
 
    其在1965年發(fā)表的文章,同樣繼承了像德州儀器公司的Jack Kilby和仙童公司的Bob Noyce等集成電路先驅(qū)們的精神。
 
圖片來(lái)源:IBM
 
1966年秋
 
    IBM研究員Robert H. Dennard聽(tīng)到一個(gè)關(guān)于提高磁芯存儲(chǔ)器性能的報(bào)告。當(dāng)晚,他在家中的沙發(fā)上思考:“我能做些什么確實(shí)簡(jiǎn)單的事情呢?”
 
    考慮到MOS技術(shù),他意識(shí)到電容上的積累電荷可以表達(dá)出一定的信息,而晶體管則可以控制電荷的書(shū)寫(xiě)過(guò)程。
 
    他馬上利用單獨(dú)晶體管/單獨(dú)電容(1T/1C)的動(dòng)態(tài)RAM,并最終產(chǎn)生了一個(gè)全新的工業(yè)領(lǐng)域。

圖片來(lái)源:Intel
 
1970年4月
 
    工程師們開(kāi)始設(shè)計(jì)世界上首個(gè)多用途可編程微處理器Intel 4004,這需要使用便攜式計(jì)算器行業(yè)中更多的集成電路。其過(guò)程促進(jìn)了Intel、Mostek、TI等公司開(kāi)發(fā)出新的可計(jì)算集成電路。
 
    提供給日本計(jì)算器生產(chǎn)商N(yùn)ippon的Intel 4004,運(yùn)行速度能達(dá)到108 kHz,擁有2250個(gè)晶體管,它創(chuàng)造性的在2英寸鏡片上運(yùn)用了10微米技術(shù)。
 
圖片來(lái)源:Applied Materials
 
1972年6月
 
    半導(dǎo)體生產(chǎn)商開(kāi)始研究不同的摻雜法技術(shù)。通過(guò)摻雜法,元素的原子被動(dòng)地進(jìn)入半導(dǎo)體晶體,從而改變其電子特性。
 
一種名為 ion implantation的新?lián)诫s技術(shù),包含硼、磷和砷等類(lèi)似的高能摻雜離子。而原來(lái)的全面擴(kuò)散法,則用在加工玻璃和高爐上。
 
1973年
 
    Perkin-Elmer的Micralign預(yù)測(cè)掃描技術(shù)問(wèn)世。它的出現(xiàn)使光刻工藝從接觸印刷發(fā)展到光學(xué)投影。
 
    Micralign系統(tǒng)利用透鏡將圖像以1:1的比例投影在晶片上,并在掩膜上投射出一幅圖片。而掩膜是一種近似于使芯片分層的模版。
 
    隨后5年,預(yù)測(cè)掃描技術(shù)被可以不間斷地把掩膜圖像逐次反映在晶片上的光刻技術(shù)取代。
 
    Nikon的NSR-1010i3光刻機(jī)采用365 nm波長(zhǎng),并使用光刻膠光源,它在1984年首次投入使用。第一個(gè)深紫外光(DUV)光刻機(jī),是GCA公司采用248 nm光源制造的。其在掩膜上投影的圖像要比晶片上的圖片大得多,同時(shí)它也開(kāi)創(chuàng)了縮印技術(shù)的先河。
 
    摩爾在1995年曾說(shuō),“從接觸印刷到光學(xué)投影的飛躍”是工業(yè)界早期的重大突破。
 
圖片來(lái)源:Applied Materials
 
1974年3月
 
    美國(guó)和日本的芯片制造商開(kāi)始引進(jìn)使用等離子體的“干燥”法來(lái)蝕刻晶片,與使用化學(xué)技術(shù)的濕法相比,“干燥”法要先進(jìn)很多。
 
    其蝕刻技術(shù),同樣伴隨著之前的沉淀過(guò)程,并成為晶體管制造領(lǐng)域的核心技術(shù)。干蝕刻法的出現(xiàn)有其必然原因,因?yàn)橄穸趸韬偷柽@樣的絕緣膜,其厚度很難承受傳統(tǒng)方法的刻錄。
 
    讓我們?cè)賮?lái)看看增強(qiáng)等離子蝕刻技術(shù),它使工業(yè)界發(fā)生了徹底的改變。因?yàn)樗麄冃枰趩我粭l件下加工單晶片,對(duì)濕法加工來(lái)說(shuō),多晶片需要同時(shí)處于相同的化學(xué)條件下。
 
    在20世紀(jì)80年代早期,貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究員Dan Maydan,David N.K. Wang和Sass Somekh(見(jiàn)照片),加入到Applied Materials公司——一個(gè)相對(duì)較小的芯片制造設(shè)備商,而他們的目標(biāo)是使增強(qiáng)等離子蝕刻技術(shù)商業(yè)化。
 
1974年10月
 
    Robert H. Dennard和其IBM的同事描述了MOSFET微縮方程式,即登納德縮放比例定律,這正是摩爾定律的另外補(bǔ)充。在特征尺寸縮小時(shí)描述電流、功率與功率延遲乘積( power-delay product,PDP)的變化。這項(xiàng)成就催生了后來(lái)尺寸更精巧、更經(jīng)濟(jì)且可靠的存儲(chǔ)器,甚至是更高性能的處理器。

圖片來(lái)源:SSPL/Getty Images
 
1975年6月
 
    沃茲尼亞克手工打造了蘋(píng)果I,只有4kb內(nèi)存,此后與喬布斯兩人聯(lián)合開(kāi)發(fā)蘋(píng)果電腦。Apple公司銷(xiāo)售額從1978年的780萬(wàn)美元上升至1980年的1.17億美元。由于PC的熱銷(xiāo),帶動(dòng)了集成電路市場(chǎng)的集成化、小型化與低售價(jià)的快速發(fā)展。

圖片來(lái)源: Imec
 
1976年4月
 
    日本開(kāi)始嘗試設(shè)立VLSI計(jì)劃,日本VLSI項(xiàng)目是由日本電氣、日立、三菱、富士通和東芝五家競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力雄厚的計(jì)算機(jī)公司以及日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實(shí)驗(yàn)室、電子技術(shù)綜合研究所、日本電信電話公社聯(lián)合研究開(kāi)發(fā)。以往的日本廠商熱衷于通過(guò)價(jià)格戰(zhàn)和質(zhì)量戰(zhàn)進(jìn)行相互競(jìng)爭(zhēng),并對(duì)私有技術(shù)進(jìn)行嚴(yán)格保密。在這種情況下由互相競(jìng)爭(zhēng)的企業(yè)組成共同研究聯(lián)合體遭到了不少的質(zhì)疑。但是在日本通產(chǎn)省政府的協(xié)調(diào)與領(lǐng)導(dǎo)下,這種由互相競(jìng)爭(zhēng)的企業(yè)組成共同研究聯(lián)合體的創(chuàng)舉取得了成功。日本VLSI項(xiàng)目的組織與研發(fā)是通過(guò)建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和小組實(shí)驗(yàn)室的形式來(lái)進(jìn)行研究的。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室坐落在日本電氣中心實(shí)驗(yàn)室附近,由五大公司和電氣技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究人員共同參與有關(guān)通用性和基礎(chǔ)性的技術(shù)研究,而小組實(shí)驗(yàn)室主要由計(jì)算機(jī)綜合研究所(Computer Design Laboratory,CDL)和日電東芝信息系統(tǒng)(Nipponelectric-Toshiba Information System,NTIS)的實(shí)驗(yàn)室構(gòu)成,它們各自分散在與其相關(guān)的公司內(nèi)部,主要進(jìn)行應(yīng)用技術(shù)方面的研究。這種由互相競(jìng)爭(zhēng)的企業(yè)組成共同研究聯(lián)合體的做法不僅整合了各企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力而且推動(dòng)VLSI技術(shù)的擴(kuò)散,使日本企業(yè)齊心協(xié)力共同應(yīng)對(duì)外界技術(shù)進(jìn)步帶來(lái)的壓力。美國(guó)政府則與1981年成立了半導(dǎo)體研究公司(SRC),三年后,歐洲半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)IMEC在比利時(shí)成立。
 
圖片來(lái)源:Addison-Wesley Pub
 
1977年8月
 
    電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化發(fā)展的下一個(gè)重要階段以卡弗爾·米德(Carver Mead)和琳·康維于1977年發(fā)表的論文《超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)導(dǎo)論》(Introduction to VLSI Systems)為標(biāo)志。這一篇具有重大意義的論文提出了通過(guò)編程語(yǔ)言來(lái)進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)的新思想。如果這一想法得到實(shí)現(xiàn),芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度可以得到顯著提升。這主要得益于用來(lái)進(jìn)行集成電路邏輯仿真、功能驗(yàn)證的工具的性能得到相當(dāng)?shù)母纳啤kS著計(jì)算機(jī)仿真技術(shù)的發(fā)展,設(shè)計(jì)項(xiàng)目可以在構(gòu)建實(shí)際硬件電路之前進(jìn)行仿真,芯片布線布局對(duì)人工設(shè)計(jì)的要求降低,而且軟件錯(cuò)誤率不斷降低。直至今日,盡管所用的語(yǔ)言和工具仍然不斷在發(fā)展,但是通過(guò)編程語(yǔ)言來(lái)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證電路預(yù)期行為,利用工具軟件綜合得到低抽象級(jí)物理設(shè)計(jì)的這種途徑,仍然是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。
 
    Mead、David L. Johannsen以及Edmund K. Cheng建立了SCI公司(Silicon Compilers Inc.),公司的關(guān)鍵芯片用在了DEC的MicroVAX小型機(jī)中,自動(dòng)化設(shè)計(jì)讓fabless公司成為可能,而隨著Foundry的成立,越來(lái)越多的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司開(kāi)始孕育而生。
 
圖片:Toru Yamanaka/AFP/Getty Images
 
1982年6月
 
    20世紀(jì)80年代初IBM研究院Grant Willson與伊藤宏取得了一項(xiàng)突破性的進(jìn)展,發(fā)展了一種光刻膠聚合物,這使通過(guò)光刻小于250納米的結(jié)構(gòu)來(lái)制造半導(dǎo)體芯片成為可能。1986年,IBM首次將該技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)中。
 
圖片來(lái)源:三星電子
 
1982年9月
 
    三星電子首次設(shè)計(jì)出64 KB DRAM,現(xiàn)代與LG則緊隨其后,這三家公司讓韓國(guó)成為主要半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó),1994年三星成為1Mb及4Mb DRAM首要供應(yīng)商,2002年成為半導(dǎo)體第二大制造商,僅次于Intel。

圖片來(lái)源:Xilinx
 
1984年3月
 
    賽靈思創(chuàng)始人Ross H. Freeman首次開(kāi)發(fā)了FPGA,F(xiàn)reeman 按照摩爾定律(晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?zhǔn)確推測(cè),晶體管成本將隨時(shí)間推移穩(wěn)步下降,低成本、高度靈活的 FPGA 將成為各種應(yīng)用中定制芯片的替代品。
 
圖片來(lái)源:Fujio Masuoka
 
1984年11月
 
    桀岡富士雄,出生于1943年,日本人,閃存的發(fā)明者。在任東芝公司生產(chǎn)線中層管理人員時(shí),即一心要發(fā)明能象軟磁盤(pán)那樣可插取、具有“磁帶”存儲(chǔ)功能的存儲(chǔ)器。在1984年IEDM上桀岡富士雄首先提出了NOR Flash,而在1987年的IEDM上,其又提出了NAND Flash,2002年,單顆1Gb NAND開(kāi)始出現(xiàn)。
 
1985年
 
    芯片制造商開(kāi)始使用金屬硅化合物以降低門(mén)級(jí)阻抗,讓電路變得更快,在內(nèi)存芯片中,硅化鎢是第一個(gè)被使用的金屬化合物材料,使電阻降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),自此之后鈷,鎳,鉑等都被用于芯片制造。

圖片來(lái)源: ASML
 
1985年
 
    GCA公司為貝爾實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)了制作芯片的深紫外光(DUV)設(shè)備。該設(shè)備使用248 nm波長(zhǎng)激光射線。這是光刻的一個(gè)大的飛躍,因?yàn)樯钭贤饧す夤庠词箳呙鑳x打印更小的特點(diǎn),比水銀燈的掃描儀快得多。

圖片來(lái)源:Corbis
 
1985年11月
 
    在接收一個(gè)采訪時(shí),AMD發(fā)言人安迪羅斯說(shuō):“顯然,向CMOS發(fā)展的趨勢(shì)仍將繼續(xù),直到它成為該行業(yè)的主導(dǎo)技術(shù)。”在20世紀(jì)80年代, P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)和 N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)技術(shù)主要是通過(guò)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),它結(jié)合了P-N兩種使電路更優(yōu)越。到了20世紀(jì)80年代中期,美國(guó)和日本的公司生產(chǎn)高容量CMOS DRAM。日本公司后來(lái)采用由CMOS制造的DRAM和靜態(tài)RAM,得以占據(jù)市場(chǎng)統(tǒng)治地位。制造CMOS的突破來(lái)自多晶硅。MOS晶體管很快開(kāi)始取代雙極型器件,很大程度上是因?yàn)镃MOS的低功耗。
 
圖片來(lái)源:ASML
 
1987年2月
 
    得到了飛利浦公司和臺(tái)灣政府的支持,前德州儀器總經(jīng)理Morris Chang創(chuàng)辦了臺(tái)積電TSMC,推出了純代工模型。這種代工模式馬上改變了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1994年,臺(tái)灣的UMC開(kāi)始由一家集成設(shè)備制造商變?yōu)榇S。EDA在半導(dǎo)體代工廠成長(zhǎng)中扮演著關(guān)鍵角色。代工廠描述他們的制作過(guò)程,將信息轉(zhuǎn)交給EDA產(chǎn)業(yè)去開(kāi)發(fā)庫(kù)和設(shè)計(jì)工具以實(shí)現(xiàn)代工廠的技術(shù)。因此,代工廠為沒(méi)有制造設(shè)施的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供了巨大機(jī)會(huì)。
 
圖片來(lái)源: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)
 
1992年11月
 
    在美國(guó),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)致力于得出第一個(gè)半導(dǎo)體路線圖,即國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖。它假設(shè)根據(jù)摩爾定律每?jī)赡晷酒系木w管翻一番,為芯片行業(yè)的所有供應(yīng)商設(shè)立了目標(biāo)。

圖片來(lái)源:Intel
 
1993年3月
 
    英特爾將化學(xué)機(jī)械拋光(CMP), 或平坦化,作為其奔騰處理器互連形成過(guò)程的一部分。CMP, 長(zhǎng)期用于拋光光學(xué)鏡片,被認(rèn)為太“臟”而不能被列入高精度的制造過(guò)程中,由于磨損造成的顆粒會(huì)干擾投影光刻。但在20世紀(jì)90年代早期,日本工程師使用CMP制造淺溝,以使晶體管之間電隔離。IBM開(kāi)發(fā)CMP作為使用銅計(jì)劃的一部分,而不是晶體管之間的金屬連接件鋁。銅采用電鍍沉積在溝槽,而不是濺射沉積方法。

圖片來(lái)源:IBM
 
1997年11月
 
    IBM和摩托羅拉在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上推出銅互連技術(shù)。英特爾,處于產(chǎn)量和成本的擔(dān)憂,直到2002才放棄這個(gè)產(chǎn)業(yè)支柱,鋁,實(shí)現(xiàn)晶體管之間的互聯(lián)。有關(guān)IBM在IEDM上的成績(jī)被華爾街的一個(gè)雜志報(bào)道以后,IBM的股票價(jià)格飛漲。可能是華爾街注重電阻電容(RC)延遲的重要性?

圖片來(lái)源:Intel
 
2002年10月
 
    英特爾啟動(dòng)了它的第一個(gè)300毫米大批量晶圓工廠,稱(chēng)為 11倍,在新墨西哥Rio Rancho,過(guò)渡到300毫米 (12英寸)直徑的硅晶片,從200毫米,允許超過(guò)兩倍的芯片將在一個(gè)單一的硅片加工。

圖片來(lái)源:Intel
 
2002年11月
 
    英特爾將一中稱(chēng)為單軸應(yīng)變硅的新材料引入其90納米晶體管。該方法在硅通道中使用了如鍺之類(lèi)比硅原子略大的原子,以增加張力或應(yīng)變。該方法將硅晶格往與柵極方向正交的方向拉伸,促進(jìn)電子和空穴通過(guò)硅通道的速度。英特爾聲稱(chēng),應(yīng)變硅晶體管的性能提高10%~25%之間。這個(gè)進(jìn)步預(yù)示著一個(gè)轉(zhuǎn)變,即芯片性能的進(jìn)步開(kāi)始逐漸依賴(lài)越來(lái)越多的新材料,如硅、鍺等 k 和 低k 介質(zhì),而不是降低物理尺寸的晶體管本身。
 
2003年9月
 
    英特爾啟動(dòng)了俄勒岡州的D1D工廠。D1D,是一個(gè)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)設(shè)施,是第一個(gè)高度自動(dòng)化的新一代半導(dǎo)體制造廠。在D1D中,行業(yè)切換到自動(dòng)材料處理系統(tǒng)。芯片制造設(shè)備廠商采用單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)控制設(shè)備,稱(chēng)為單線控制。其他的標(biāo)準(zhǔn),如標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口(SMIF)允許晶片進(jìn)入生產(chǎn)設(shè)備而不被污染。
 
2004年1月
 
    尼康宣布已經(jīng)研發(fā)并將馬上上市一個(gè)用于芯片制造的基于浸沒(méi)式光刻的光學(xué)系統(tǒng)。掃描儀卡在由氬氟準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生193 nm波長(zhǎng),芯片產(chǎn)業(yè)需要縮小晶體管的臨界尺寸的新方法。答案:水。縮小尺寸需要更高的數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)。由于其與空氣相比相對(duì)較高的折射率,透鏡和之間的水上在透鏡之間有一層薄薄的水,晶片使光學(xué)專(zhuān)家增加或擴(kuò)大孔徑角。這種浸沒(méi)式光刻成就了高數(shù)值孔徑光刻機(jī)。浸泡,連同相移掩模,這種奇異的離軸照明工具,校準(zhǔn)計(jì)量和光學(xué)鄰近校正,使193納米掃描儀從ASML和尼康打印關(guān)鍵尺寸,比用于芯片電路的輻射波長(zhǎng)小了一個(gè)完整的量級(jí)。
 
2007年6月
 
    蘋(píng)果公司推出了第一款iPhone,標(biāo)志著手機(jī)從主要用來(lái)通話到數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的移動(dòng)設(shè)備的轉(zhuǎn)變。智能手機(jī)的大量涌現(xiàn)驅(qū)動(dòng)了NAND存儲(chǔ)芯片越來(lái)越高的集成,并把芯片公司的受益推向新高。ARM公司為很多手機(jī)和平板提供低功耗處理器核。由于移動(dòng)系統(tǒng)的需求增高,每瓦特更高性能而非單純的性能首次成為業(yè)界目標(biāo)。
 
2007年11月
 
    在IEDM上,英特爾宣布其將新的絕緣材料引入其45 nm工藝技術(shù)的晶體管。high-k金屬基于氧化鉿的化合物,取代二氧化硅(SiO2)作為晶體管柵門(mén)絕緣子。high-k層防止幾乎所有的電流通過(guò)通道上方的控制柵極泄漏。由于其電氣性能,氧化鉿層是的晶體管開(kāi)關(guān)速度比基于二氧化硅的柵極材料快很多。尋找一種合適的超越二氧化硅的材料的過(guò)程是漫長(zhǎng)而痛苦的,Sematech和Imec合作縮小材料的選擇。
 
圖片來(lái)源:Intel
 
2011年5月
 
    英特爾高級(jí)研究員馬克玻爾透露,該公司創(chuàng)造了包含一個(gè)垂直晶體管架構(gòu)的芯片。在此10年前,加州大學(xué)伯克利分校的胡正明(Chenming Hu)教授等人提出在高的、垂直的通道周?chē)w管的控制閘門(mén),比平面架構(gòu)的方法能夠允許更好的開(kāi)關(guān)。讓許多觀察家感到意外的是,英特爾在22 nm工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)就切換到一個(gè)垂直的FinFET晶體管,這比預(yù)期得早。轉(zhuǎn)換到垂直晶體管是一個(gè)歷史性的啟航,并需要解決一個(gè)發(fā)人深省的系列光刻、蝕刻和其他制造業(yè)的挑戰(zhàn)。
 
 
2014年11月
 
    戈登·摩爾對(duì)于器件密度每?jī)赡攴槐兜念A(yù)言似乎要減緩了,很令人驚訝的是在50年以后。在2014 IEDM( IEEE International Electron Devices Meeting ,IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議)上,英特爾、IBM、臺(tái)積電和三星都發(fā)布了他們的FinFET晶體管技術(shù),基于垂直通道和環(huán)繞著通道的控制柵極(閘門(mén))。“FinFET”這個(gè)詞來(lái)源于通道鰭狀的外觀。與上一代相比,它允許晶體管的數(shù)量在一定面積內(nèi)翻翻。
 
本人原作者:David Lammers
 
 
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