消息稱 SK 海力士考慮進(jìn)軍先進(jìn)封裝領(lǐng)域,延長存儲產(chǎn)業(yè)鏈
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
12月24日消息,韓國媒體ETNews當(dāng)?shù)貢r間本月11日援引消息人士的報道稱,SK海力士在先進(jìn)封裝技術(shù)
SK 海力士宣布量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存,計劃 2025 上半年對外出貨
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
11月21日消息,SK海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的321層1Tb(太比特,與TB太字節(jié)不同)TL
消息稱特斯拉與SK海力士正洽談1萬億韓元的企業(yè)固態(tài)硬盤訂單
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
10月25日消息,據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報報道,消息人士昨日透露,特斯拉正在與SK海力士進(jìn)行談判,特斯拉可能會下達(dá)1
SK海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn)12層HBM3E芯片,實現(xiàn)36GB最大容量
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
9月26日消息,SK海力士今日宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品
SK海力士:美股七大科技巨頭均表達(dá)定制HBM內(nèi)存意向
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
8月20日消息,據(jù)韓媒MK報道,SK海力士負(fù)責(zé)HBM內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁RyuSeong-soo當(dāng)?shù)?/p>

因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
8月13日消息,華爾街見聞報道稱,SK海力士已將其DDR5DRAM芯片提價15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用閃存,基于 V9 TLC NAND 顆粒
半導(dǎo)體設(shè)計/制造
8月9日消息,根據(jù)SK海力士當(dāng)?shù)貢r間昨日發(fā)布的新聞稿,該企業(yè)在FMS2024峰會上展示了系列存儲新品,