大電壓采樣電路：

需要串聯(lián)多個電阻進(jìn)行分壓，從而一級一級降低電壓，防止電阻損壞或者短路直接打穿MCU。

為什么需要加電壓跟隨器：進(jìn)行阻抗的隔離，防止MCU的IO阻抗對分壓產(chǎn)生影響：

大電流檢測電路：

隔離式線性霍爾電流傳感器 MCS1806

小電流檢測電路：

按鍵上電電路：

反相器：

電平轉(zhuǎn)換電路：

虛短：運放的兩個輸入端視為同等電位；
虛斷：因為流入運放輸入端的電流往往不足1uA，所以輸入端可以視為等效開路。

電壓、電流采樣電路設(shè)計主要方式：

使用采樣電阻，再送給放大器

使用霍爾傳感器

使用電流檢測IC

低邊電阻在接地通路中增加了不希望的額外阻抗；采用高側(cè)電阻的電路必須承受相對較大的共模信號。低側(cè)電流測量的優(yōu)點之一是共模電壓， 即測量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設(shè)計應(yīng)用電路， 也便于選擇適合這種測量的器件。低側(cè)電流感測電路測得的電壓接近于地， 在處理非常高的電壓時、 或者在電源電壓可能易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應(yīng)用中， 優(yōu)先選擇這種方法測量電流。由于低側(cè)電流感測能夠抗高壓尖峰干擾， 并能監(jiān)測高壓系統(tǒng)中的電流。

常見的開關(guān)電源控制模式有：電壓模式 電流模式 恒定導(dǎo)通時間模式

電路一：可以實現(xiàn)單向的防倒灌電路，因為即使PMOS關(guān)斷，PMOS的體二極管還是會漏電。

經(jīng)過測試這個電路如果正向施加電壓，負(fù)載電壓直接等于電源電壓的。

電路二：可以實現(xiàn)雙向的防倒灌電路，但是需要一個IO控制電路。

如果只使用一個MOS管，當(dāng)控制MOS管關(guān)斷時，電池可以通過MOS管的體二極管進(jìn)行放電，這時就起不到關(guān)斷作用。

三極管的基極并聯(lián)一個電容可以加速三極管的導(dǎo)通關(guān)斷時間，利用的是電容兩端電壓不能突變的原理：

注意防反接電路PMOS的寄生二極管的方向，一定是反著電源電流流通順序的，不然絲毫沒有起到防反接的作用。下圖中PMOS的源極在左，漏極在右。

MOS的防反接電路：

無橋PFC的工作原理：

用四顆MOS管代替四個二極管組成的整流橋進(jìn)行整流：

MOS 管柵極加二極管可以加速關(guān)斷：

為MOS的節(jié)電容提供了放電路徑：

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