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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET, 賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

發(fā)布者:EE小廣播最新更新時(shí)間:2024-11-25 來(lái)源: EEWORLD關(guān)鍵字:英飛凌  OptiMOS  Linear  MOSFET  熱插拔  電池保護(hù) 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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【2024年11月25日, 德國(guó)慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)(SOA)之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害,并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比,OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流,并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。這使每個(gè)控制器可以并聯(lián)更多的 MOSFET,不僅降低了物料(BOM)成本,還通過(guò)擴(kuò)展產(chǎn)品組合為設(shè)計(jì)帶來(lái)了更大的靈活性。

 

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采用TOLL封裝的OptiMOS? Linear FET 2

 

100 V OptiMOS? Linear FET 2采用 TO-leadless封裝(TOLL)。與 RDS(on)相近的標(biāo)準(zhǔn)OptiMOS? 5 相比,該器件在10 ms、54 V時(shí)的SOA高出12倍,在100 μs時(shí)的SOA高出 3.5 倍。后一項(xiàng)改進(jìn)對(duì)于電池管理系統(tǒng)(BMS)在短路情況下進(jìn)行電池保護(hù)尤為重要。在短路情況下,保障系統(tǒng)設(shè)計(jì)和可靠性的關(guān)鍵在于并聯(lián)MOSFET之間的電流分配。OptiMOS? 5 Linear FET 2通過(guò)優(yōu)化傳輸特性改進(jìn)了電流分配。憑借寬SOA和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的電流分流,在元件數(shù)量由短路電流要求決定的設(shè)計(jì)中,元件數(shù)量最多可減少 60%。這實(shí)現(xiàn)了高功率密度、高效率且高度可靠的電池保護(hù),可被廣泛用于電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、叉車、電池備用電源、純電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

 

供貨情況


新型OptiMOS? 5 Linear FET 2 MOSFET 現(xiàn)已上市。


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