編者按
- 半導(dǎo)體電路技術(shù)國際會議“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”于09年2月9日（星期一）在美國舊金山拉開帷幕。受全球景氣衰退的影響，預(yù)計(jì)今年參加ISSCC的人數(shù)為2200～2300名。比上年減少3成左右。半導(dǎo)體技術(shù)的微細(xì)化方面，今年將開發(fā)采用32nm工藝的邏輯LSI。美國英特爾不僅試制了使用32nm制造技術(shù)的291Mbit SRAM和等化電路，還計(jì)劃發(fā)布面向32nm工藝的片上溫度傳感器。NAND閃存方面，3Xnm工藝的發(fā)表接連不斷。比如，東芝和美國SanDisk將發(fā)布小于35nm工藝的32Gbit芯片（3bit/單元）。值得一提的是，兩篇分別來自清華大學(xué)與復(fù)旦大學(xué)的論文入選了本次ISSCC大會，這也打破了連續(xù)多年中國大陸只有一篇論文入選的局面。此外，為了令更多無法現(xiàn)場參會的亞洲技術(shù)人員更好的了解大會內(nèi)容，ISSCC還首次開辟全球分會，推出北京、東京、首爾及臺北等分會場。
ISSCC 2009
- ISSCC 2009 展會動態(tài)
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- 中國大陸論文破一至二入選ISSCC
- 編輯觀點(diǎn)：工程領(lǐng)域一點(diǎn)都不無聊！
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ISSCC 2009
- ISSCC 2009 前沿技術(shù)
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ISSCC 2009
- ISSCC 2009 前沿技術(shù)
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- 4Gbit DRAM和TSV 8Gbit產(chǎn)品亮相
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