使用熱電偶測(cè)量封裝背面溫度時(shí)的注意點(diǎn)
本應(yīng)用手冊(cè)記載了為了計(jì)算半導(dǎo)體芯片在實(shí)際動(dòng)作時(shí)的結(jié)溫,使用熱電偶測(cè)量封裝背面溫度時(shí)的注意點(diǎn)。
熱阻RthJC 的測(cè)量方法和使用方法
本應(yīng)用筆記介紹了從分立半導(dǎo)體器件的結(jié)到外殼的熱阻測(cè)量方法和使用方法。
SiC功率器件?模塊 應(yīng)用筆記
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。
根據(jù)測(cè)定波形計(jì)算功率損耗(SiC)
本應(yīng)用筆記記載了 SiC MOSFET 方案的開關(guān)電路根據(jù)測(cè)得的開關(guān)波形計(jì)算 SiC MOSFET 的功率損耗的方法。
柵極-源極電壓的浪涌抑制方法
本應(yīng)用手冊(cè)的目的,是在于闡明 MOSFET 的柵極和源極之間浪涌產(chǎn)生的原因,并提出最適合的應(yīng)對(duì)方法。
柵源電壓測(cè)定時(shí)的注意點(diǎn)(SiC)
這份應(yīng)用筆記會(huì)對(duì)柵源極間電圧測(cè)定的注意點(diǎn)予以說明。
熱模型使用方法(SiC功率器件篇)
在 SPICE 模型中,有與熱仿真相關(guān)的被稱為熱模型的仿真模型。本應(yīng)用筆記就熱模型設(shè)計(jì)的相關(guān)方法進(jìn)行說明。
橋式電路相關(guān)的 Gate-Source 電壓的動(dòng)作
本應(yīng)用筆記著眼于 MOSFET 橋式電路的各 MOSFET 的 Gate-Source 電圧,介紹開關(guān)動(dòng)作的詳細(xì)內(nèi)容。
緩沖電路的設(shè)計(jì)方法
本應(yīng)用筆記中,將對(duì)漏極源極尖峰抑制方法之一的緩沖電路的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行說明。
通過驅(qū)動(dòng)源極端子改善開關(guān)損耗
本應(yīng)用手冊(cè)專門就功率元器件使用驅(qū)動(dòng)源極端子所產(chǎn)生的效果和使用注意事項(xiàng)進(jìn)行說明。