碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。特別是，碳化硅具備更高的擊穿電場強(qiáng)度和導(dǎo)熱率，可以制造出遠(yuǎn)超相應(yīng)硅基的器件。這樣您就可以在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)原本無法企及的效率水平。
英飛凌CoolSiC?半導(dǎo)體解決方案是邁向節(jié)能世界的一大步。將革命性的SiC技術(shù)與我們充足的的系統(tǒng)知識、一流的封裝和卓越的生產(chǎn)工藝相結(jié)合，使您能夠開發(fā)先進(jìn)的高系統(tǒng)性價(jià)比新產(chǎn)品。 >>了解更多英飛凌CoolSiC? 半導(dǎo)體解決方案
CoolSiC? 產(chǎn)品選型手冊
針對1-80 kW三相功率系統(tǒng)的豐富的1200 V CoolSiC? MOSFET 分立器件
TO-247
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SMD
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|---|---|---|---|
| Rdson [mOhm] | 1200 V TO-247 3 Pin | 1200 V TO-247 4 Pin | 1200 V D2PAK-7 Pin |
| 30 | IMW120R030M1H | IMZ120R030M1H | IMBG120R030M1H |
| 45 | IMW120R045M1 | IMZ120R045M1 | IMBG120R045M1H |
| 60 | IMW120R060M1H | IMZ120R060M1H | IMBG120R060M1H |
| 90 | IMW120R090M1H | IMZ120R090M1H | IMBG120R090M1H |
| 140 | IMW120R140M1H | IMZ120R140M1H | IMBG120R140M1H |
| 220 | IMW120R220M1H | IMZ120R220M1H | IMBG120R220M1H |
| 350 | IMW120R350M1H | IMZ120R350M1H | IMBG120R350M1H |
我們有全球最豐富的 CoolSiC? MOSFET Easy 封裝產(chǎn)品
Rdson EasyDUAL? Easy Booster EasyPACK?
| [mOhm] | 1200V Halfbridge | 1200V Booster | 1200V H-Bridge | 1200V SixPACK |
|---|---|---|---|---|
| 45 | FF45MR12W1M1_B11 | FS45MR12W1M1_B11 | ||
| 23 | FF23MR12W1M1_B11 | DF23MR12W1M1_B11 | F4-23MR12W1M1_B11 | |
| 11 | FF11MR12W1M1_B11 | DF11MR12W1M1_B11 | ||
| 8 | FF8MR12W1M1_B11 | |||
| 6 | FF6MR12W1M1_B11 |
| 圖片 | 型號 | 描述 | 目標(biāo)應(yīng)用 |
|---|---|---|---|
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EVAL-PS-E1BF12-SIC |
該板的目的是評估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC? MOSFET模塊。 評估板允許進(jìn)行雙脈沖測量以及DC / DC轉(zhuǎn)換器的功能測試。因此，該板設(shè)計(jì)為雙向降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器。 |
● 太陽能系統(tǒng)解決方案 ● 不間斷電源 |
