東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

－四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度－

中國上海，2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。

四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。

未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

 測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結(jié)果）

圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

• 應(yīng)用：

• 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)電源

• 電動汽車充電站

• 光伏逆變器

• 不間斷電源

• 特性：

• DFN8×8表面貼裝封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗

• 東芝第3代SiC MOSFET

• 通過優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性

• 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷

• 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

• 主要規(guī)格：

• 相關(guān)鏈接

第3代SiC MOSFET特性

SiC MOSFET常見問題解答

SiC MOSFET與Si IGBT的比較

SiC MOSFET絕對最大額定值和電氣特性

注：

[1] 截至2025年5月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。

[4] 截至2025年5月，東芝測量值。請參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。