賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。
今天發(fā)布的這些器件采用性能穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下工作2000小時(shí)后仍具有1000pp
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有低電容和低泄漏電流的新款ESD保護(hù)陣列---VBUS053CZ-HAF，能夠保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的影響。在5.5V的工作范圍內(nèi)，新的VBUS053CZ-HAF可為3條線路提供USB ESD保護(hù)，在28V工作范圍內(nèi)對(duì)一條VBUS線路提供保護(hù)
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分別具有16m?、26m?、32m?和95m?的超低導(dǎo)通電阻。最接
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2011 年 1 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出4款提供eSMP?表面貼裝和軸向引線封裝選項(xiàng)的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，擴(kuò)大其用于太陽(yáng)能電池旁路應(yīng)用的TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。
今天發(fā)布的器件可在低壓、高頻逆變器和太陽(yáng)能電池接線盒中實(shí)現(xiàn)更高的電流密度，在這些應(yīng)用中
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布用于遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外接收器--- TSOP85…AP5，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。這些接收器將一個(gè)PIN二極管、前置放大器和用于PCM頻段的內(nèi)部濾波器裝入一個(gè)頂視尺寸只有1.3mm的超薄封裝內(nèi)。TSOP85…AP5器件具有高靈敏度與尺寸比，具有±75°的寬視角及靈敏度為0.15mW/m2～0.35mW/m2。
今天發(fā)布的器件具有
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新的采用1212外形尺寸的IHLP?低外形、高電流電感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位為3.0mmx3.6mm，分別具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。
IHLP-1212AB-11和 IHLP-1212AE-11具有最高
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用2012和4527外形尺寸的新系列表面貼裝的高精度、高穩(wěn)定性金屬膜電阻 --- PSF系列。該系列電阻具有±5 ppm/℃的極低溫度系數(shù)和0.01%的容差，在各種環(huán)境條件下均具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。
PSF器件是Vishay的軸向引線PTF系列電阻的表面貼裝版本，為精密測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng)，以及軍工、航天和工業(yè)設(shè)備和儀表中的高精度應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其在菲律賓首都馬尼拉郊區(qū)的制造工廠因在環(huán)境和安全方面的突出表現(xiàn)，榮獲菲律賓政府在2010年頒發(fā)的3個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，這些獎(jiǎng)項(xiàng)包括總統(tǒng)辦公室與環(huán)境和自然資源部頒發(fā)的環(huán)境表現(xiàn)表彰證書，能源部頒發(fā)的能效和優(yōu)秀能源管理獎(jiǎng)，勞工部頒發(fā)的安全里程碑獎(jiǎng)。
菲律賓總統(tǒng)Gloria Macapagal Arroyo親自向Vishay頒發(fā)環(huán)境表現(xiàn)表彰證書。僅有其他7家在菲律賓的公司榮獲了這個(gè)聲譽(yù)卓著的獎(jiǎng)項(xiàng)。要獲得
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2010年12月14日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列的固鉭貼片電容器 --- 592W。穩(wěn)定耐用的592W電容器專門針對(duì)無(wú)線調(diào)制解調(diào)器中的脈沖工作模式而設(shè)計(jì)，在6.3V～10V電壓范圍內(nèi)，具有330μF～2200μF的高容值，3種外形尺寸的高度為1.6mm和2.0mm。
今天發(fā)布的電容器在各種溫度、脈沖重復(fù)間隔和電壓條件下均具有穩(wěn)定的電氣性能?？蓱?yīng)用在無(wú)線調(diào)制解調(diào)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和移動(dòng)立體聲音頻中，作為大容量?jī)?chǔ)
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2010年12月16日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出完全集成的接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器--- VCNL4000，在業(yè)內(nèi)首次將一個(gè)紅外發(fā)射器、光電二極管、環(huán)境光探測(cè)器、信號(hào)處理IC和一個(gè)16位ADC組合到小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無(wú)引線(LLP)表面貼裝封裝內(nèi)。節(jié)省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口，在各種各樣的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用中能夠大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
新的VCNL4000可在智能手機(jī)、觸摸
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2010年12月6日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列螺絲端子功率鋁電容器 --- 500 PGP-ST。這些高效電容器具有1,000μF、450V至15,000μF、400V的容值/電壓組合，提供從50mm x 80mm至90mm x 220mm共9種外形尺寸。
新款500 PGP-ST電容器采用圓柱形鋁外殼密封，并帶有壓力釋放裝置，外部采用藍(lán)色套筒進(jìn)行絕緣，在+85℃下的額定紋波電流高達(dá)24.1A，在+85℃下的使用壽
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2010年11月22日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)DSCC檢驗(yàn)的新款零阻值貼片電阻 --- RCWPM Jumper，該電阻通過(guò)了MIL-PRF-32159的RCZ型認(rèn)證。對(duì)于軍工、航空、航天、醫(yī)療及其他在惡劣環(huán)境中的應(yīng)用，RCWPM Jumper提供了確定的可靠性和軍品級(jí)的失效率。
RCWPM Jumper采用穩(wěn)定的厚膜電阻體和96%氧化鋁襯底，“B”型接頭的鎳阻擋層外又裹了一層
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2010年11月24日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，該公司榮獲中電會(huì)展與信息傳播有限公司(CEEIC)頒發(fā)的“分立半導(dǎo)體類”2010中國(guó)市場(chǎng)電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)(CMECMA)。
中國(guó)市場(chǎng)電子元器件領(lǐng)軍廠商的獲獎(jiǎng)企業(yè)是根據(jù)中國(guó)電子制造商采購(gòu)行為調(diào)查(PSCEM)的結(jié)果得出的，該調(diào)查由中電會(huì)展與信息傳播有限公司和電子元件技術(shù)網(wǎng)每年舉行一次。該調(diào)查的目的是改善供需雙方的溝通，推動(dòng)新型供應(yīng)服務(wù)，以及提高采購(gòu)效率。
作為調(diào)查的一部分，
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器件是業(yè)界首款標(biāo)定在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通的80V功率MOSFET，導(dǎo)通電阻為8.5mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR880DP 80V ThunderFET?功率MOSFET榮獲《今日電子》雜志評(píng)選的第八屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。
《今日電子》的編輯從開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得的顯著進(jìn)步，以及價(jià)格和性能上的重要成就三個(gè)方面，對(duì)前一
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業(yè)界此類器件當(dāng)中最低的。
SiHG47N60
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